台积电宣布3nm制程时间表今年内试产2022正式量产

早前举行的ISSCC 2021国际固态电路研讨会上，台积电董事长刘德音透露了集团的3nm制程技术进度，他表示今年下半年就能够开始试产，然后在2022年就能正式量产。刘德音预期半导体产业会每隔两年升级一次制程技术，而每隔10年就会有一次重大技术改革。

相比起现在已经广泛应用的5nm制程，台积电表示3nm制程会令晶体管密度提升70%，芯片的时脉速度提升11%，同时令耗电量下降27%。台积电的初代3nm制程技术会使用FinFET晶体管设计，跟Samsung在3nm制程技术使用GAA结构晶体管的做法不同。

台积电表示制程技术进一步缩减，未来芯片设计会向着导入更多晶体管数量、嵌入更多内存模块、强化系统单芯片设计等堆栈应用模式进发。