据韩国媒体报道，处于领先位置的韩存业务，因竞争对手美光（Micron）全力追赶，面临严重的市场挑战。
韩国媒体《BusinessKorea》报道指出，全球第五大NAND Flash供应厂商美光，逐步展示先进技术的研发实力，除了2020年11月供货176层堆栈的NAND Flash产品，还在2021年1月量产第4代10纳米级DRAM，这些产品目前都还是韩国厂商三星或SK海力士无法量产的产品。
报道指出，尽管三星及SK海力士目前全球DRAM市场总计71%市场占有率，NAND Flash市场也有合计45%市场占有率，但两家公司连续失去相关产品全球新技术首发记录，反映技术发展面临竞争对手的严峻挑战。1~2年前，三星内存技术至少还领先美光约2年。
三星2018年7月量产96层堆栈V-NAND Flash，且SK海力士2019年6月首次量产128层堆栈的4D NAND Flash时，美光到2020年第2季才量产128层堆栈NAND Flash。甚至三星还保持从第1代到第3代10纳米级DRAM全球首发记录。不过美光陆续取得两项产品领先后，韩国市场人士开始担忧，韩存产业市场领先优势还能维持多久。
报道强调，技术差距缩小的原因，在于内存制程技术几乎达到极限，领先者要进步会比追赶者困难。三星已投资数万亿韩元，且花费很长时间开发新技术。但追赶者却可参考三星技术发展，减少研发成本投资与时间。韩国市场人士指出，虽然现阶段韩国企业成本级设备投资有竞争力，但也被竞争对手逐渐追上。2019年美光营业利润率为19.5%，虽低于三星21.6%，却领先SK海力士10.1%。即使三星与SK海力士努力提高，三星2020年营业利润率提升至25.8%，但SK海力士15.7%营业利润率仍与美光15.2%表现相差无几。
除了以营业利润率衡量各企业竞争力，更令韩国业界担心的是，目前欧美全力发展半导体制造业，祭出不少重点发展厂商补助计划。美光内存一直被视为重要战略科技产品，美国政府将提供美光更优惠的补助措施。据韩国工业联合会2020年6月报告显示，相较中国中芯国际2014~2018年的政府补助金额，占总销金额6.6%，美国政府的美光补助也占总销金额3.3%。反观韩国三星和SK海力士，韩国政府补助仅0.8%和0.5%，使竞争对手更有实力投资技术研发，也使韩国企业面临更大压力。
（首图来源：Flickr/Insider MonkeyCC BY 2.0）