三星（Samsung）今日宣布，推出业界首个基于High-K Metal Gate（HKMG）制程的512GB DDR5模块，以扩展DDR5 DRAM产品组合。据悉，基于HKMG制程的DDR5，其性能是DDR4两倍以上，且速度高达7,200 Mbps，得以满足超级运算、人工智能、机器学习等庞大运算需求。
三星指出，随着行通设备、存储和运算处理的数据量成指数增长，内存朝DDR5发展是云计算数据中心、网络和边缘部署的关键趋势。而采用HKMG制程的DDR5，将可为这些企业提供高性能的解决方案，满足金融市场、自动驾驶、智慧城市、医学研究，以及其他领域的运算需求。
据悉，三星新推出的DDR5采用HKMG制程技术，而HKMG技术于2018年首次在三星的GDDR6采用。三星表示，随着DRAM结构不断缩小，绝缘层变薄，也使得电流更容易泄露；而采用HKMG技术，将可以减少电流泄露并进一步提高内存性能。
三星进一步说明，新推出的DDR5内存和之前产品相比，功耗降低约13%，且通过硅穿孔（TSV）技术，新推出的DDR5得以堆栈八层16Gb DRAM芯片片，以实现最大的512GB容量。TSV技术首次用于DRAM产品上是在2014年，当时三星推出了存储容量为256GB的服务器模块。
（首图来源：三星）