三星于周四（3/25）发布了全球首个基于高介电质金属闸极（High-K Metal Gate，HKMG）制程技术的512GB DDR5内存模块，其最高性能为每秒7,200Mb，是DDR4的两倍，适用于超级运算、人工智能、机器学习及资料分析等，各种需要密集运算与高带宽的应用中。
HKMG是以金属蛤（Hafnium）的氧化物作为栅极电介质，取代传统以二氧化硅氧化物打造的栅极结构，可减少栅极漏电流，还能有效降低栅极电容，通常被应用在逻辑半导体中，三星已于2018年将HKMG应用在GDDR6内存，此次则扩大其应用至DDR5。
三星指出，有鉴于内存架构持续缩小，绝缘层变薄的结果造成更高的漏电流，以HKMG作为绝缘层将减少DDR5内存的漏电流，同时达到更高的性能，且所使用的电力也减少了13%。
负责内存的三星副总裁Young-Soo Sohn表示，三星是唯一一家把HKMG技术导入内存产品开发的企业，将让三星得以提供高性能又省电的内存解决方案给医药研究、金融市场、自动驾驶汽车与智慧城市等领域的客户。
根据外电报道，三星已开始送样给客户，采用HKMG版DDR5内存的台式机有望于今年底或明年问世