芯片代工龙头台积电年报披露2纳米最新进度，在初步研究及路径寻找后，台积电进入2纳米制程技术研发阶段，着重于测试键与测试载体设计与实例、光罩制作及硅试产。
台积电去年成功量产5纳米技术，且受益客户对5纳米及7纳米技术的强劲需求，带动台积电营收连续11年缔造历史新高记录。台积电3纳米主要客户已于去年完成硅知识产权设计，并开始进行验证，预计今年完成3纳米制程技术验证，以进入试产。
微影技术方面，台积电去年研发重点3纳米、2纳米技术开发，及下时代纳米技术开发的先期准备。针对3纳米技术开发，极紫外光（EUV）微影技术展现极佳的光学能力，与符合预期的芯片良率。
台积电：今年2纳米将着重改善EUV技术品质
台积电研发单位正致力于极紫外光技术，以减少曝光机光罩缺陷及制程堆栈误差，并降低整体成本。台积电表示，今年在2纳米及更先进制程上，将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。
相较于前一年度年报中指出，极紫外光技术正逐步迈向全面生生产机制造就绪。台积电在此次年报中透露，极紫外光光阻制程、光罩保护膜及相关的光罩基板，都展现显著进步，极紫外光技术已全面量产。
此外，光罩技术在先进微影技术中极为关键。台积电去年完成3纳米制程光罩技术开发，大量导入更复杂且先进的极紫外光光罩技术，且持续精进极紫外光光罩技术，以满足2纳米微影技术在光罩上的需求。
台积电3纳米仍采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，但2纳米后将转向环绕闸极（GAA）架构；未来2纳米更先进技术的研发基地将在新竹宝山，同时也在宝山积极争取土地，2纳米生产也将落脚于此。