台积电先前在说明会上，针对先进制程进度提出说明。台积电总裁魏哲家表示，5纳米增强版将在今年内开始量产，4纳米芯片将在2021年底进入“风险生产”阶段，并于2022年实现量产。3纳米产品预计在2022年下半年投产，2纳米制程正在开发中。在产能方面，没有任何竞争对手能威胁到台积电的主导地位，而且未来几年内也不会。
台积电重申，有信心其2纳米（N2）、3纳米（N3）和4纳米（N4）制程将按时推出，并保持比竞争对手更先进制程节点领先优势。
今年台积电将2021年的资本支出预算大幅提高到250亿至280亿美元，最近更是追加到300亿美元左右。这是台积电未来三年增加产能和研发投入计划的一部分，该公司计划三年总共投资1000亿美元。
在台积电今年300亿美元的资本预算中，约80%将用于扩大先进技术的产能。华兴证券分析师认为，到今年年底，先进节点上的大部分资金将用于将台积电的5nm产能扩大到每月11万至12万片芯片。
与此同时，台积电表示，其资本支出的10%将用于先进的封装制造，另外10%将用于支持专业技术开发，包括成熟节点的特定版本。
台积电最近提高资本支出的行动，是在英特尔宣布其IDM 2.0战略(涉及内部生产、外包和代工运营)之后做出的，并在很大程度上重申了该公司在竞争加剧之际对短期和长期未来的信心。
台积电表示，4纳米（N4）奠基于N5的强大基础，将进一步延续5纳米家族打下的基础，进一步提升性能、功耗及密度，支持下一波的5纳米产品。N4技术预计于2021年下半年试产，并于2022年进入量产。
魏哲家表示：“作为一家领先的芯片代工企业，台积电在成立30多年的历史中从未缺乏竞争，但我们知道如何竞争。我们将继续专注于提供领先的技术、卓越的制造服务，并赢得客户的信任。其中，赢得客户信任是相当重要的，因为我们没有与客户竞争的内部产品。”而最后这句话，显然是针对英特尔宣布进入代工市场而来的。
台积电是2020年中期第一家开始使用其N5技术进行大规模芯片制造(HVM)的公司。魏哲家说：“N5已经进入量产的第二个年头，产量比我们最初的计划要高。在智能手机和高性能运算（HPC）应用的推动下，N5的需求继续强劲，我们预计2021年N5将贡献芯片收入的20%左右。事实上，我们看到N5和N3的客户越来越多。需求如此之高，我们必须准备好应对的准备。”
由此可见，今年下半年台积电的5纳米产能将大幅提升，与对手将拉开差距。
2022年，台积电将推出其全新的N3制程，将继续使用FinFET晶体管，但预计将提供一整套PPA改进方案。特别是，与目前的N5相比，台积电的N3承诺将性能提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。同时，根据结构的不同，新节点还将使晶体管密度提高1.1到1.7倍。
N3将进一步增加EUV层的数量，但将继续使用DUV光刻。此外，由于该技术始终在使用FinFET，它将不需要从头开始重新设计的新一代电子设计自动化(EDA)工具和开发全新的IP，相对于三星基于GAAFET/MBCFET的3GAE，这可能更具竞争优势。
台积电知道如何与拥有尖端技术的竞争对手以及顶尖芯片制造商竞争，因此它并不认为英特尔代工服务(IFS)是直接的威胁，特别是因为后者主要聚焦于尖端和先进的节点。
金融分析师普遍认同台积电的乐观态度，主要是因为预计该公司的N3和N5节点将不会有竞争对手提供类似的晶体管密度和芯片产能。
华兴证券分析师表示：“继英特尔今年3月宣布的芯片代工业务回归后，台积电愿意从2021年开始制定为期3年的1000亿美元资本支出和研发投资计划，这表明其有信心扩大代工领导地位。我们认为，随着N3和N5的出现，台积电的战略价值也在上升：HPC和智能手机应用的N5生产活动强劲，同时与N5和N7在类似阶段相比，N3客户的参与度更高。