先前媒体报道，仍在DRAM市场占有率领先全球的韩国大厂三星，竞争对手持续精进技术，甚至宣布超越三星推出新一代技术产品后，三星开始担心失去全球龙头位置。韩国媒体《BusinessKorea》报道，三星准备打破DRAM业界传统，将公布DRAM产品电路线宽，以显示三星技术在对手竞争下持续维持领先。
报道指出，DRAM的电路线宽被业界认定是衡量半导体内存公司技术能力的重要指标，原因是DRAM的电路线宽越窄，功率效率就越高。涉及技术机密情况下，过去DRAM业界传统就是不明确公开产品确切电路线宽。随着DRAM制程技术2016年进入10纳米级制程，DRAM制造商普遍共识避免过去参与相关技术与市场的恶性竞争。进入10纳米级制程后，DRAM制造商要将电路线宽缩小1纳米，就需2~3年研发时间，如此长时间与成本投入，也代表通过技术议题营销的效果并不大。
基于以上因素，过去5~6年，全球DRAM制造商从未确实发布DRAM产品电路线宽数字。这也是DRAM产业普遍将2016年推出的10纳米级制程归类为第一代1x纳米制程，将2018年推出的10纳米级制程归类为第二代1y纳米制程，以及在同一年推出的10纳米级制程归类为第三代1z纳米制程，之后于2021年初问世问世的第四代10纳米级制程，称为1a纳米制程的原因。
DRAM厂商普遍将10纳米级制程以1x纳米制程、1y纳米制程、1z纳米制程等称呼，所以很难清楚确认三星1z纳米制程DRAM和SK海力士的1z纳米制程DRAM电路线宽差异。三星决定放弃传统打“模糊战”方式，预计公布旗下各10纳米级制程DRAM电路线宽，代表三星对本身制程很有信心，面对对手的竞争。
三星表示，将在2021下半年大量生产1a纳米制程DRAM，电路线宽就是14纳米。三星是全球第一家2016年初开始大量生产第一代1x纳米制程DRAM的公司，量产时间当时领先竞争对手SK海力士和美光约半年到一年。即使到2019年开发出1z纳米制程DRAM前，即使三星没有详细公布DRAM电路线宽，也没人否认三星拥有DRAM产业最好的技术。
以上业界习以为常的情况，终于在第四代1a纳米制程DRAM产品打破。全球第三大DRAM制造商美商美光（Micron）2021年1月意外宣布，开发出全球首个且大量生产的1a纳米制程DRAM，使美光技术发展一口气领先龙头三星。三星主管DRAM的DS业务高层表示忧心与不满，因三星认为过去生产的1x、1y和1z纳米制程DRAM性能远优于竞争对手，如今技术被超越是很大冲击，于是怀疑美光宣称的1a纳米制程DRAM实际情况。
报道强调，三星不仅怀疑美光夸大宣称1a纳米制程DRAM性能，且至今还没看到美光发布产品照片，也质疑1a纳米制程DRAM是否真可大规模量产。三星决定明确公布各代10纳米级制程DRAM电路线宽数字，除了代表以真正实力面对竞争对手挑战，更希望能巩固DRAM龙头宝座。
（首图来源：三星)