芯片代工大厂联电在最新出版的年报，董事长洪嘉聪“致股东报告书”指出，联电致力于提供客户全方位芯片专工解决方案，并与整体供应链合作伙伴紧密合作，持续投注于技术研发及产能扩展。未来半导体科技之运用将以人工智能、物联网、5G通信、汽车电子为主，将有大量的芯片需求，且多为联电所专精的技术及特殊制程，也是联电持续投资策略重点。
洪嘉聪强调，研发一直是联电的运营重心，联电持续投注研发费用达新台币118.6亿元，持续延揽和培育研发人才，并在先进技术和特殊技术的研发上获得了丰硕的成果。针对逻辑制程平台推出14FFC制程（14nm FinFET Compact），目前已成功的导入5G及网通等应用，良率达业界量产水准。
22纳米超低功耗（22ULP）及超低漏电流（22ULL）制程平台目前已完成客户产品验证，可应用于模拟、混合信号、射频等技术之物联网、移动设备、车用电子等。28纳米高性能计算（28HPC ）制程应用于图片信号处理器（ISP）将于导入量产。联电的28纳米毫米波（mmWave）制程技术将可提供低功耗的CMOS解决方案。
在特殊技术应用，联电40纳米高压制程是芯片专工业界第一个领先开发并量产，提供高端有机发光显示器（AMOLED）市场。28纳米高压技术也已进入量产阶段。此外，22纳米高压制程技术（22eHV）研发进度也符合预期指标。射频绝缘半导体（RFSOI）技术提供一流性能及满足所有4G／5G手机对射频开关的严格要求，目前0.13／0.11微米和90纳米制程已广泛进入量产，联电已着手开发55纳米RFSOI技术平台，以衔接后续增长动能。
内置式闪存技术（eFlash）部分，55纳米MCU已导入量产，40纳米SST已完成良率与可靠度验证即将导入量产，28纳米SST研发进度也符合预期，将供应物联网（IoT）需求。40纳米电阻式随机访问内存（ReRAM）已进入小量生产阶段。22纳米电阻式内存（ReRAM）技术平台和22纳米嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM）制程平台，可应用于智能物联网（AIoT）等相关产品，研发业已如期进行。除此之外，联电积极投入第三代半导体材料氮化镓（GaN）开发以布局高性能电源功率组件市场。
预期未来，在既定“兼顾财务体质改善及持续增长”经营策略下，联电经营团队将聚焦于：1. 集成组织性能，开发技术，全面提升品质与生产力，以追求卓越为全公司目标。2. 与供应链紧密合作，改善产品组合与强化市场占有率，维持稳健的获利能力。3. 致力于客户服务，强化综效与附加价值，与客户共同增长，创造双赢。4. 提升永续经营的竞争力，以维护股东最大权益。
(首图来源：联电)