就在美光首席执行官Sanjay Mehrotra于6月2日在Computex 2021论坛的主题演讲中宣布，将正式量产1α制程的LPDDR4x DRAM，并且目前正在向AMD和Acer供应1α制程的DRAM之外，另外还宣布了开始量产176层堆栈NAND Flash闪存之后，其消息震撼了目前在DRAM市场占有率上领先全球的韩国业界。
根据韩国媒体《KoreaBusiness》的报道，美光的1α制程DRAM相当于韩国三星和SK海力士的14纳米制程DRAM。而目前美光是世界上第一家量产该款14纳米制程DRAM的公司公司。再加上2020年11月美光宣布开始量产176层堆栈NAND Flash闪存之后，这代表着美光不论是在DRAM，还是在NAND Flash闪存的生产技术上都超越了韩国的两家公司。
报道指出，韩国的一位市场人士表示，由于核心制程技术的不同，很难直接将美光的技术与韩国的三星和SK海力士的技术相比较。不过，令人惊讶的是，美光在没有极紫外线曝光设备 (EUV) 的辅助下，缩小了与两家韩存大厂的生生产机制造技术差距。
报道强调，现阶段三星和SK海力士尚未开始量产176层堆栈的NAND Flash闪存。其中，SK海力士虽然于2020年12月宣布完成176层堆栈的NAND Flash闪存的开发。不过，到目前为止还没有达到量产的阶段。虽然，两家韩存企业都表示，2021年下半年可以量产176层堆栈的NAND Flash闪存。但市场人士认为，量产的时间实际上会到2021年底。另外，也预计这两家韩存厂商的量产14纳米制程DRAM的时间也会是自2021年底开始。
报道进一步强调，韩国的半导体产业非常关注美光在不使用EUV曝光设备的情况下成功开发出14纳米制程DRAM的消息，因为这是半导体制程微缩的关键。目前，三星和SK海力士正在将EUV技术应用于10纳米等级，但技术较为入门的DRAM生产。
而相较于韩国的两家厂商，目前是台湾投资金额最大的外商美光，最新技术是在不使用EUV曝光设备，而是采用上一代的深紫外(DUV) 曝光设备就可以来生产内存。市场人士也强调，因为由荷兰商ASML所生产的EUV曝光设备每部造价高达1.5亿美元，用其生产的内存将会有比较高的成本。但是美光采用上一代的DUV曝光设备就能生产相关的内存产品，在产品成本的竞争力上将更具优势。
不过，仍有韩国专家调，美光的1α制程的DRAM和176层堆栈的NAND Flash闪存尚未经过与三星和SK海力士的产品进行比较，是否能有相同的性能。因此，未来美光的产品将能对两家韩国厂商有多大的威胁，有待后续观察。
(首图来源：官网)