就在日前传出台积电正思考在日本独资兴建并运营芯片厂之后，美商内存大厂美光（Micron）的首席执行官Sanjay Mehrotra近期在接受《日本经济新闻》采访时也表示，美光将与日本政府合作，通过扩大在日本的投资，以及与当地设备和材料公司合作，加强日本的半导体供应链。而针对该计划，韩媒指称将可能影响韩存厂商的发展。
报道指出，Sanjay Mehrotra表示，美光愿意与日本公司合作开发第5代10纳米级的DRAM生产技术。事实上，美光已经于6月初的Computex 2021活动中宣布，已开始量产全球首批第4代10纳米级的DRAM。目前，韩国的三星和SK海力士两家领先全球的内存大厂，当前DRAM全球市场上的排名非别为第一和第二。但这两家公司仍然专注于第3代10纳米级DRAM的生产上。因此，在技术领先的情况下，美光已经开始在市场占有率方面逐步威胁三星及SK海力士。
此外，美光还看上了全球NAND Flash闪存全球市场占有率第二的日本铠侠（Kioxia）。根据市场研究及调查机构《TrendForce》的资料显示，三星电子当前以33.5%的市场占有率位居NAND Flash闪存全球市场的龙头，而美光以11.1%的市场占有率排名第5。但是，如果美光收购了市场占有率达18.7%的铠侠之后，则美光将进一步将威胁到三星。
报道还强调，除了内存市场之外，在芯片代工市场，全球芯片代工龙头台积电目前也传出将在日本进行一系列投资的计划，以加强与美国和日本之间的合作关系。台积电在2月份宣布将在日本筑波市创建半导体材料的研发设施后，日前也由日媒报道表示，台积电也计划在日本创建一家独资的芯片厂。
报道进一步指出，相较于台积电近期已在美国亚利桑那州开始动工兴建先进制程芯片厂，并计划在未来3年投资1,000亿美元，用以提高芯片厂的技术与生产力。韩国三星则是计划投资170亿美元扩大其在美国德州的芯片厂。另外，也将对韩国平泽市P3芯片厂产线进行新投资。不过，对于新投资，三星并未透露任何细节。只是，尽管三星电子已决定到2030年前在系统半导体领域的投资金额，由原本的133万亿韩元扩大到171万亿韩元。而这与台积电计划在未来3年内投资相当于111万亿韩元的金额相比，其投资金额相形见绌。
（首图来源：科技新报摄)