根据韩国媒体《ETNews》报道，韩国内存大厂SK海力士将针对2月才落成的M16新芯片厂，投资8,000亿韩元设置生产设备，包括极紫外线（EUV）曝光机，预计2021年底前达到每月量产1.8万片12英寸芯片的目标。
据韩国供应链人士的说法，SK海力士M16芯片厂预计投资8,000亿韩元采购包含EUV等生产设备，以期望在2021年第三季达到每月量产8,000片芯片，第四季再增加10,000片芯片的产能，而目前正在与供应商进行设备采购的进程计划。根据SK海力士之前在财务会议上所公布的消息指出，针对M16芯片厂的量产计划，是将部分2022年的规划提前到2021年，原因是应对全球内存供应吃紧。
SK海力士M16芯片厂位于京畿道利川市，2018年11月动工，2021年2月落成，是SK海力士旗下最新芯片厂，总投资金额达3.5万亿韩元。其中，将设立SK海力士产线中的第一条EUV技术产线。因EUV光源ArF更短，更适合进行半导体电路微缩设计，提高芯片性能及生产性能。
市场研究及调查单位TrendForce资料显示，内存供应吃紧，整体上半年DRAM涨幅达20%。第三季的合约价格还将再上涨3%~8%，下半年市况看好。因此，为应对这样的市场发展，SK海力士积极针对M16芯片厂进行产能的规划，预计2021年底能达到每月1.8万片的产能之外，还准备在M16厂进行第四代10纳米级（1a）制程的DRAM生产。目前SK海力士虽然已经宣称开发出第四代10纳米级制程的DRAM，不过当前仍需要时间来提升产品生产的良率。
SK海力士提造布局M16芯片厂的量产计划，除应对市场的需求之外，另一原因就是抗衡市场对手的竞争。虽然，韩国目前市场占有率领先的两家内存大厂三星与SK海力士都准备在2021年底前量产第四代10纳米级制程的DRAM。排名第三的美商美光科技（Micron）却6月初宣布，正式出货第四代10纳米级制程的LPDDR4x内存。这是美光在没有采用EUV技术下所量产的产品，不论在推出进程及技术层次都明显领先三星与SK海力士的情况之下，为避免领先的竞争优势被超车，所以SK海力士借此展现实力。
（首图来源：SK海力士）