韩国媒体《BusinessKorea》报道，半导体大厂三星正加紧准备2022年开始的平泽新半导体工厂大规模投资。三星大规模投资的目的，除了在内存逢大周期时扩大与竞争对手的差距，芯片代工也要追上台积电。
三星计划先在建设中平泽3号工厂 (P3) 创建NAND Flash闪存生产线，然后再创建DRAM生产线和3纳米制程代工产线。三星正与海内外材料、零部件、设备合作伙伴洽谈，P3工厂扩建后，三星将增设一条第七代176层堆栈NAND Flash闪存生产线，每月生产40K~50K的12英寸芯片，并2022年4月左右开始引进设备。
市场分析师表示，先安装NAND Flash闪存生产线的原因，是为了扩大与追随者的技术差距，因为NAND Flash闪存市场竞争加剧，据市场人士说法，中国努力发展半导体产业，西部数据可能收购日本内存大厂铠侠，美光科技也量产176层堆栈NAND Flash，市场竞争逐渐升温。
关于P3工厂加码投资，三星还制定2022下半年建设DRAM和3纳米代工产线计划。市场人士预计，应对DDR5规格的DRAM时代到来，三星将打造14纳米制程EUV DRAM生产线。三星创建3纳米制程代工产线方面，未来每月可量产10K~20K的12英寸芯片。
三星电子预计2022年将在华城和P3工厂所在的平泽工厂导入先进生产技术。据三星计划，投资DRAM和芯片代工产线后，韩国半导体产能将增加至每月150K芯片，相当于三星DRAM厂华城17工厂产能。
(首图来源：三星)