韩国三星电子昨日抢先披露2纳米制程规划，预计采用专属的GAA架构（环绕式闸极结构）架构，目标2025年量产，而第一代3纳米制程则预计2022年上半年问市，2023年还会有第二代产品。
分析师认为，尽管三星意图超车的态度鲜明，但从技术、良率、运营管理能力与客户关系等多层面来看，台积电拥有绝对优势，业界龙头地位依旧稳如山。
台积电2纳米GAA有望在2024导入量产
根据三星在年度芯片论坛上所披露的消息，公司首个3纳米GAA制程良率正接近4纳米，并预计2022年上半年量产第一代3纳米3GAE制程，接着会在2023年推出第二代3纳米3GAP制程技术；并首度发布2纳米制程规划，目标在2025年抢先商用生产2纳米芯片。
不同于三星在3纳米导入GAA架构，台积电预计在2022年下半年量产3纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程，目前仅公布2纳米厂落脚新竹，并未说明技术及量产进程，因此部分人士忧心，台积电在技术进展上有落后三星的风险。
业界人士表示，三星计划采用的GAA架构，据称可更精准地控制信道电流、缩小芯片面积、降低耗电量。值得注意的是，GAA并不是近期才出现新的技术，且Performance更好是众所皆知，只是过去都停留在实验室阶段，量产的难度相当高。
他指出，尽管台积电目前仅对外正式宣布2纳米生产据点，实际上公司早已着手2纳米GAA的研发，将采用全新时代的纳米层片（nanosheet）架构，推测量产时间将落在2024年下半年。
台积电3纳米制程 更具性价优势
台积电会在3纳米沿用FinFET架构，主要是综合考量成本竞争力、性能表现、技术成熟度后的抉择。对台积电而言，FinFET生态系统统已相当成熟，相对具备成本效益。由于GAA难度更高，在先进制程成本不断抬高的趋势下，更需要稳扎稳打向前推进，才能提供客户兼具性价比的解决方案。
据了解，台积电3纳米已进入风险性试产阶段，目标明年中旬月产能拉升到约5~6万片规模，并由大客户苹果率先在iPhone导入；同时，公司也规划推出改款版的3纳米制程（即启动持续改善计划，Continuous Improvement Plan，CIP），价格更具竞争力，量产进程估落在2023年。
事实上，目前半导体企业普遍对三星明年上半年量产GAA持保留态度，主要是因为4D的GAA制程较3D的FinFET复杂许多，三星能不能顺利量产并兼顾良率，且进一步应用到非自家的产品上，仍有待观察。再者，GAA制程价格势必会比FinFET再贵一截，在有其他选项（台积电3纳米）下，客户买单意愿恐怕不高。
整体来看，分析师则认为，对芯片代工企业来说，比的不会只有技术多领先、有多快，而是对制程、技术的掌握度，才能保有优异良率并完成量产目标，与客户互利双赢。台积电从技术、良率、运营管理能力、产能规模乃至客户关系都独占鳌头，霸主地位难以被他人撼动。
业绩方面，台积电预计在今日公布9月营收，法人预期，尽管近期终端需求杂音纷陈，惟受益于美系客户手机新机上市，9月营收有机会挑战1,500亿元的新高记录。第四季随着其他大客户陆续导入5纳米家族制程，有望持续向上增长，全年营收年增超过20%目标达阵无虞。