韩国内存大厂三星12日对外宣布，已经正式开始量产以极紫外（EUV）曝光技术所生产的14纳米制程DRAM。这是三星继2020年3月出货首款采EUV曝光技术的DRAM后，借由将EUV曝光层数增加至5层的量产产品，如此将会为DDR5规格的DRAM提供更优质的解决方案。
韩国媒体的报道，三星电子的高层表示，通过发展关键图像化的创新技术，三星在近3年的时间中一直持续领导着全球DRAM市场。如今三星正在通过多层EUV曝光技术的创建，进入一个技术的里程碑其中，该技术完成了DRAM在14纳米制程中的极致化，这是传统ArF制程技术所无法完成的情况。而在此基础上，三星将继续为5G、AI和虚拟世界中需要更高性能和更大容量的资料提供性能，使其具备差异化的内存解决方案。
报道强调，三星在14纳米制程的DRAM中添加5层EUV曝光技术，完成了超高单位密度的产品生产目标，同时将整体芯片的生产率提高了约20%。此外，与上一代DRAM相比，14纳米制程DRAM有助于降低近20%的功耗。根据最新DDR5的标准，三星的14纳米制程DRAM可带来7.2Gbps的超高传输速度，是前代DDR4的3.2Gbps最高传输速度的两倍多。
目前，三星计划扩展其14纳米制程的DDR5 DRAM产品组合，用来支持数据中心、超级计算机和企业服务器的应用。此外，三星预计将其14纳米制程DRAM芯片密度增加到24Gb，以满足全球IT系统快速增长数据的需求。
(首图来源：Flickr/Insider MonkeyCC BY 2.0)