上周，三星宣布将自2022年上半年开始量产3纳米制程，以抗衡代工龙头台积电。而就在此宣布之后，韩国媒体开始关注，面对三星的积极准备，台积电将在14日召开的说明会上如何回应这样的状况。
根据韩国媒体《BusinessKorea》的报道指出，三星日前在其所举办的代工论坛 (Samsung Foundry Forum) 上宣布，三星宣布将在2022年上半年开始使用新一代全环绕栅极 (GAA) 技术为客户生产3纳米3GAE制程的芯片。另外，还将在2023年量产第二代3纳米3GAP制程芯片，并且在2025年量产2纳米2GAP制程芯片。
三星在其中强调，将使用GAA技术进行3纳米芯片生产，用以提高芯片内晶体管的性能和效率，这对芯片制造的先进制程发展至关重要，因为如此不但提高了电源效率、芯片性能，更进一步提升了芯片设计灵活性。而相较于鳍式场效应晶体管 (FinFET) 技术所生产5纳米制程芯片，三星的首个3纳米GAA技术制程节点的芯片可将性能提升30%，或在同样性能下，将功耗降低50%，并将芯片面积减少35%。
报道强调，相对于三星将自2022年开始生产3纳米制程的GAA技术芯片，则台积电方面在3纳米制程上仍将沿用FinFET技术。之后预计在2纳米制程技术中，才会进一步导入GAA技术。先前曾经有媒体报道指出，三星希望在3纳米制程节点就导入GAA技术的原因，就在于希望采用新一代的技术来吸引客户的青睐，用以挑战台积电的市场占有率。
而除了期望在制程技术上的领先之外，三星也希望在新制程技术推出的时间抢先在台积电之前。报道进一步强调，因为台积电预计要到2022年的7月份才会将3纳米制程应用CPU及GPU的生产上，则三星预计在2022年上半年就推出3纳米制程的进程，就使得三星成为全球第一个生产3纳米制程的厂商。而研究三星会抢在台积电之前推出3纳米制程，主要是目前台积电在市场占有率上对三星的领先差距已经扩大。
根据市场研究及调查机构Trendforce的调查数据显示，2021年第2季，台积电的市场占有率为52.9%，领先三星的17.3%超过3倍。另外，另一家市调机构Counterpoint Research的资料也显示，台积电的市场占有率达到55%，三星则为17%。因此，未达到三星订立在2030年前成为非内存的系统半导体龙头目标，在芯片代工方面就是必得与台积电一拼天下不可。不过，对于三星的步步推进，韩国相关市场专家指出，以目前台积电与三星都有在生产的5纳米制程芯片来说，台积电在良率与性能上仍旧占据上风。
(首图来源：Flickr/DennisM2CC BY 2.0)