台积电3纳米量产在即,宣布新思科技数字与定制化设计平台获认证

IC设计厂商新思科技致力实现新一代系统单芯片 (system-on-chips,SoCs ) 的功耗、性能和面积 (PPA) 的优化,并宣布其数字与定制化设计平台已获得台积电3纳米制程的认证。台积电的最新3纳米制程技术,将依照计划在2022年量产。

新思科技指出,该认证通过严格的验证,是以台积电最新的设计规则手册 (design rule manual,DRM) 和制程设计组件 (process design kit,PDK) 为基础,而取得这项认证也可说是双方多年合作的成果。此外,该平台也已取得台积电N4制程的认证。

台积电设计构建管理处副总经理Suk Lee表示。借由双方的策略合作,台积电能让客户实现新一代HPC、行动、5G和AI设计,并快速将创新的产品推向市场。另外,数字设计流程是以紧密集成的“新思科技融合设计平台”为基础,采用最新技术以确保更快速的时序收敛 (timing closure),以及从合成到布局绕线再到时序及物理签核的完整流程之间的关联性。该平台经强化后的合成与全局摆置器Security C–TSMC Secret (global placer) 引擎,可达到程序库单元 (library cell) 选择和布局结果的优化。

新思科技强调,为了支持台积电的超低电压设计收敛,新思科技优化引擎已改为使用新的footprint优划算法。这些基于双方策略伙伴关系的新技术,对于利用台积电N3制程的设计来说,有助其PPA的提升。Custom Compiler设计和布局解决方案是“新思科技定制化设计平台”的一环,能为使用台积电先进制技术的设计人员带来更高的生产力。

还有,多项CustomCompiler的强化功能已获得包括新思科技DesignWare IP团队在内的3纳米先期用户的认证,能降低3纳米技术要求所需的心力。新思科技PrimeSim HSPICE、PrimeSim SPICE、PrimeSim Pro和PrimeSim XA模拟器是PrimeSim连续解决方案的一部分,能改善台积电3纳米芯片设计的周转时间 (turnaround time),并为电路模拟和可靠性要求提供签核范畴 (signoff coverage)。

新思科技数字设计业务群总经理Shankar Krishnamoorthy表示,新思科技与台积电的持续合作关系为其先进的3纳米制程带来了高度差异化的解决方案,让客户在设计复杂的SoC时更具备成功的信心。在整体流程中因为有了能实现3纳米制程的多项技术创新,设计人员得以充分利用PPA的精进,进行新一代HPC、行动、5G和AI设计。

(首图来源:官网)