瞄准电动汽车、工业需求，意法半导体（ST）宣布推出第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET晶体管，推动最先进的技术在电动汽车动力传动系统功率设备的应用，以及在其他以功率密度、节能、高可靠性为重要目标的应用。
随着电动汽车市场加速发展，许多车厂和汽车供应商皆已采用800V驱动系统以加速充电速度并减轻汽车重量，新800V系统可供车商生产行驶距离更长的汽车。
为此，意法新一代SiC组件专为高端汽车应用优化设计，包括电动汽车牵引逆变器、车载充电器、DC/DC转换器和电子空调压缩机；不仅如此新一代产品也适合工业应用，可提升马达驱动、再生能源发电机和储能系统、通信电源系统、数据中心电源等应用的性能。
意法半导体目前已完成第三代SiC技术平台相关标准认证，自该技术平台衍生的大部分产品预计于2021年底前达到商用成熟度。将提供额定电压从650V和750V到1,200V的组件，为设计人员提供更多选择，以解决从普通交流线电压到高压电动汽车电池和充电器的应用。首批上市之产品为650V的SCT040H65G3AG和750V裸芯片形式的SCT160N75G3D8AG。
意法半导体汽车和离散组件产品部副总裁暨功率晶体管业务部总经理Edoardo Merli表示，ST在芯片和封装的两个层面不断创新，以提供客户优化性能的产品；通过不断地投资推动车用与工业项目，意法2024年SiC营收预计可达10亿美元。
（首图来源：意法半导体）