外媒报道，全球半导体企业为了先量产200层堆栈以上NAND Flash闪存，展开激烈竞争。韩国三星计划2022年底或2023上半年推出200层堆栈以上NAND Flash内存，2023上半年开始量产供应市场。
韩国媒体《BusinessKorea》报道，三星电子原计划2021年底量产176层堆栈NAND Flash闪存，但考虑到那时市况，最后决定延后到2022年第一季。但美商内存大厂美光抢先量产176层堆栈NAND Flash闪存，市场人士预测，三星将加速200层堆栈以上NAND Flash闪存量产步伐，以夺回美光抢走的技术领先头衔。
三星预计128层堆栈单片内存上再叠96层，共推出224层NAND Flash闪存。产品推出后与176层堆栈产品相较，224层堆栈NAND Flash闪存生产效率和数据传输速度可提高30%。
目前除了三星积极布局200层堆栈以上NAND Flash闪存，其他还有美光和韩国内存大厂SK海力士，也在加速200层以上NAND Flash闪存开发，预计将是另一个NAND Flash闪存的决战领域。
(首图来源：三星)