第三类半导体去年引爆热门话题，美国、日本、中国拼命想分食这块大饼，台厂也纷纷投入相关供应链，但吸引力到底在哪？对于台厂来说，第三代半导体不只是充满商机的新蓝海，更是成熟技术转型的新寄托，点燃下一波增长动力的火苗。
随着5G通信、电动汽车等新兴应用对功率组件性能需求提高，相较于第一类材料“硅”（Si）、“锗”（Ge）以及第二类“砷化镓”（GaAs）和“磷化铟”（InP）对于温度、频率、功率已达极限，难以应用在更严苛环境上，第三类半导体的碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）在耐高温、高电流的环境下仍有极佳性能，所以市场将目光转向第三类半导体。
市调机构TrendForce预测，2025年全球功率半导体组件及模块市场规模将达274亿美元，其中第三类半导体SiC/GaN市场占比从2021年不到5%，扩大至2025年约17%。
因为材料特性，SiC和GaN用途不同，目前第三类半导体可分为3大应用，但随着科技持续发展，在应用上将出现更多的想象空间。
除了5G射频、快充，GaN未来发展重点：新能源汽车和数据中心
GaN适合高频、中高压领域（低于900V）特性，适合制作射频组件（GaN RF射频），如Wi-Fi、GPS定位、卫星通信甚至是军用雷达。
虽然GaN芯片代工大厂稳懋投入射频组件多年，但目前GaN射频通信市场仍由全球前两大IDM厂思佳讯（Skyworks）和Qorvo主导。
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第二大应用是利用GaN中低功率的特性，制作电源转换器（Power GaN），如LED和手机等消费电子领域的快充及整流器，手机品牌商OPPO、小米、vivo已经推出好几代GaN快充产品。
值得注意的是，苹果去年全新MacBook Pro快速充电器，首次采用Power GaN技术，功率高达140W，意味着百瓦级大功率快充产品进入增长期。
其中，在百瓦级大功率快充产品中，GaN技术市场渗透率达62%，主要由GaN功率芯片龙头纳微半导体（Navitas）与英诺赛科（Innoscience）供应，其中纳微半导体销售市场占有率超7成，已成功应用于倍思、联想、小米等厂商旗下产品。
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TrendForce表示，到了2025年，GaN功率组件市场规模将达8.5亿美元，年复合增长率达78%。另外，新能源汽车/数据中心也将是GaN未来发展重点，前三大应用占比将分别为消费性电子60%、新能源汽车20%、通信及数据中心15%。
（Source：Trendforce，下同）
随着GaN功率晶体管价格不断下降（已逼近约1美元），以及技术方案愈趋成熟，TrendForce预估至2025年GaN整体快充市场渗透率将达52%。
特斯拉带动SiC组件商用化，电动汽车成为核心应用
随着大功率车充市场兴起，由于SiC高功率、更高压（超过1,200 V）的特性，适合用在特高压电网、风电、太阳能、储能及新能源车。
应用部分，特斯拉2018年发布平价车款Model 3，首度在电动汽车逆变器设计中导入意法半导体（STM）的SiC组件，加快SiC商用步伐。因为与特斯拉结盟，意法半导体在2021年SiC功率半导体市场占比获得第一（43%）。
TrendForce预估，全球SiC功率组件市场规模2025年将增长至33.9亿美元，年复合增长率（CAGR）达38%。前三大应用占比将分别为新能源车61%、太阳能发电及储能13%、充电桩9%，其中新能源车产业又以车载逆变器、车载充电器（OBC）、转换器组件（DC-DC）为应用大宗。
随着电动汽车成为SiC应用核心，对延长续航里程、缩短充电时间的需求越发明显。目前电动汽车的电池动力系统为200V-450V，随着电动汽车市场渗透率提高，有机会朝着800V方向迈进，预计2025年全球电动汽车市场对6英寸SiC芯片需求可达169万片。
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