根据韩国媒体《The ELEC》报道，韩国三星2020年开始在韩国平泽市兴建的P3芯片厂，预计将在下月开始进行设备的安装，而整个安装的过程预计将持续到7月份，较最初订立的计划进程提早1个月的时间，整个芯片厂则将在2022年下半年建设完成。
报道指出，韩国三星在平泽市构建的P3芯片厂占地70万平方米，将成为全球最大的芯片厂厂区，是三星之前P2芯片厂规模的1.7倍。而整个P3芯片厂的投资也相当庞大，三星计划未来几年最少投资30万亿韩元，最多则投资到50万亿韩元的资金，这相当于最少将投资240亿美元，最高投资达400亿美元的金额。
报道强调，三星在平泽市构建的P3芯片厂，预计规划为一座既生产内存，又进行逻辑芯片代工制造的芯片厂。其中，最新投资生产的将会是NAND Flash闪存，随后是则会是DRAM，最后上限的将会是采用3纳米制程技术的芯片制造与代工的生产线。而就因为三星平泽P3芯片厂将率先开始生产NAND Flash闪存，也就代表着工厂设备的安装将从NAND Flash闪存的生产设备开始，而该生产设备将自2022年的5月份第一周就将开始进行安装工程。
另外，值得注意的是，三星平泽的这一座大型芯片厂将大量采用极紫外曝光设备(EUV) 来进行生产工作。其中，在NAND Flash闪存的生产线中，将采用EUV生产第7代176层堆栈的V-NAND闪存，而在预计进行芯片代工及生产的3纳米制程技术产线上，也将需要EUV来进行生产工作。
(首图来源：三星官网)