先前一直遭外界质疑没有3纳米订单的韩国三星，最近开始出货第一代3纳米GAA制程芯片，据传第二代制程预计2024年开始量产。
跟5纳米芯片相比，三星3纳米芯片功耗可降低50%，性能则大幅提高30%。虽然三星3纳米制程一直被外界质疑没有客户，不过消息指出，该公司芯片将提供给一家为加密货币挖矿芯片的IC设计公司。外媒Appuals称，由于第二批制程拥有更高效率和更低功耗，厂商态度可能改变。
半导体产业分析师Sravan Kundojjala在Twitter上表示，三星第二代3纳米将于2024年量产，并为此与多位行动客户进行洽谈，意味着三星第二代3纳米芯片可能已吸引手机制造商的注意。
不过先前韩媒《BusinessKorea》报道指出，三星在发布3纳米芯片之后，计划2023年开始生产第二代3纳米芯片，并于接下来的2025年开始生产2纳米芯片，与Kundojjala的进程表有些落差。
《BusinessKorea》指出，三星想在技术实力上保持领先，尽快赶上台积电，因为台积电计划开始制造采用FinFET技术的3纳米芯片，并在2025年生产采用GAA技术的2纳米芯片。
Looks like Samsung gave up on Exynos in the near term but hoping to come back strongly. On the foundry side, yields continue to improve. 3GAP (2nd gen 3nm) will enter production in 2024 and in discussions with multiple mobile customers for this.
—Sravan Kundojjala (@SKundojjala)July 28, 2022
（首图来源：shutterstock）