日厂第一家，日本昭和电工（Showa Denko K.K.）宣布，使用于碳化硅（SiC）功率半导体的8英寸SiC磊晶芯片（Epitaxial Wafer）已开始进行样品出货。
昭和电工7日发布新闻稿宣布，使用于SiC功率半导体的8英寸（200mm）SiC磊晶芯片已开始进行样品出货，成为日本国内首家送样8英寸SiC磊晶芯片的厂商。上述8英寸SiC磊晶芯片使用了昭和电工自制的SiC单晶芯片。
（Source：昭和电工）
昭和电工指出，和原先使用硅芯片的功率半导体相比，SiC功率半导体的电力损耗更少、更不易发热，来自电动汽车（EV）、再生能源领域的需求急增，而SiC磊晶芯片为左右SiC功率半导体性能的关键零件。目前SiC功率半导体主要使用6英寸（150mm）SiC磊晶芯片进行生产，而随着SiC磊晶芯片大尺寸化、每片芯片所能获取的芯片数将变多，有助于提高生产效率、降低成本。
昭和电工表示，该公司为全球最大SiC磊晶芯片外售厂商。
昭和电工目前已和东芝子公司“东芝电子组件及存储设备（ToshibaElectronic Devices & Storage）”、Rohm等多家厂商签订SiC磊晶芯片的长期供应契约。
（首图来源：shutterstock）