受台湾政府资助的台湾工业技术研究院与台积电等多间厂商，共同开发第3代磁性内存SOT-MRAM数组芯片，可完成0.4纳秒高速写入、7兆次读写之高耐受度，为全球最快，性能领先韩国大厂20%。
台湾经济部技术处周三（14日）在2022 SEMICON Taiwan展出共33项创新技术，其中由工研院与台积电等多间台湾厂商共同开发的第3代SOT-MRAM （自旋轨道扭矩磁性内存）数组芯片高运算与低能耗，可完成0.4纳秒高速写入、7兆次读写之高耐受度，为全球最快，性能领先韩国大厂20%。
经济部技术处处长邱求慧表示，第3代SOT-MRAM技术是首获美国国防部出资合作开发下一代磁性内存技术，具备高运算力、低能耗、高耐受度等特性，还可集成成先进制程嵌入式内存，克服IC设计时两颗分开的芯片间，会有传输速度变慢、能耗变高的挑战。未来可以在AI人工智能能、车用电子、高性能计算芯片等领域具有优秀的前景与市场应用潜力。邱求慧又指第3代SOT-MRAM技术性能超韩赶美，若使用在车用市场将潜力无穷。
此外，工研院也在同场展出其研发的“充电桩与车载充电器用碳化硅功率模块”，采用了碳化硅功率半导体组件（SiC MOSFET）取代传统硅基功率半导体组件（Si IGBT），可实现高电压低电流的800V快充，比400V系统减少一半的充电时间。
数据源：台湾经济部技术处