Thomson Reuters 9月30日引述日本媒体《中国新闻》（Chugoku Shimbun）报道，日本将提供美光科技（Micron Technology Inc.）多达465亿日元（相当于3.2亿美元）的投资补贴，以协助这家美国制造商在广岛打造先进内存芯片。
美光周四表示，2023会计年度建厂支出将较去年度增加超过一倍，以支持2026-2030年需求。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra周四在财报电话会议上表示，人工智能（AI）、云计算、电动汽车以及5G所提供的无处不在连接上网是内存芯片与存储的长期强劲需求驱动因素。
Mehrotra说，应对2026-2030年以及更长远的内存需求，美光必须增加新的DRAM芯片产能。
《芯片和科学法案》（CHIPS and Science Act）生效后，美光宣布计划在2030年之前于美国投资400亿美元打造尖端内存制造厂。
美光于9月稍早宣布，两座尖端DRAM制造芯片厂其中的一座将在美国爱达荷州Boise落脚，2030年之前预估将在当地投资大约150亿美元。
芯片和科学法案是在2022年8月9日由美国总统拜登（Joe Biden）签署生效。这项法案为美国芯片研究、开发、制造和劳动力发展提供了527亿美元的补贴资金。
日经亚洲评论报道，美国副总统贺锦丽（Kamala Harris）周三表示，芯片法案凸显出美国确保持续投资创新、研发的承诺。报道指出，贺锦丽与日本半导体相关企业召开圆桌会议，似乎是为了要凸显出美日两国在芯片领域合作的重要性，并且强化日本企业对芯片法案的理解。
美光周四下跌1.94%、收50.01美元，今年迄今下跌46.31%；盘后上涨0.12%至50.07美元。
（首图来源：美光）