美光科技宣布，开始为特定智能手机制造商与芯片组合作伙伴提供1β（1-beta）DRAM技术的验证样品，全球最先进的DRAM制程节点1β的量产全面就绪。此新时代制程技术将率先用在美光的LPDDR5X移动内存上，最高速度来到每秒8.5 Gb等级。1β节点显著提高性能、位元密度，并改进功耗，这将带来全面的市场优势。除移动设备外，1β带来的低延迟、低功耗、高性能DRAM，更可支持各种高度回应式服务、即时服务、体验的个性化与脉络化，从智能车辆到数据中心均可受益。
1β是全球最先进的DRAM制程节点，象征美光自2021年1α (1-alpha) 制程量产以来，市场领导地位再下一城。1β节点降低功耗约15%，提升位元密度超过35% ，每颗晶粒容量可达16Gb。
随着LPDDR5X开始送样，移动设备生态系统将率先受益于1β DRAM所带来的性能显著提升，这将使得新一代的行动创新与先进的智慧手机体验成为可能，同时功耗更低。凭借1β速度与密度，高带宽使用场景将变得更加灵敏和流畅，不论是下载、启动，或同时使用需要大量资料的5G和人工智能（AI）应用程序。此外，使用1β制程的LPDDR5X不仅将强化智能手机相机的启动、夜间模式、人像模式摄影，提高速度和清晰度，还可实现防手震、高分辨率的8K视频录制，以及在手机上直觉地编辑视频。
1β制程技术的单位位元功率更低，为智能手机提供了市场上最节能的内存技术。智能手机制造商因此得以设计出电池续航力更久的设备 — 有鉴于消费者希望在使用能耗、资料密集型的应用时，电池续航力能够更持久，这点尤其重要。
功耗降低的另一功臣，则是这款采用1β节点的LPDDR5X所应用的全新JEDEC增强移动态电压与频率调整核心技术（enhanced dynamic voltage and frequency scaling extensions core, eDVFSC）。在DDR产品类别加入速率可高达每秒3,200Mb的eDVFSC，可强化节能控制，根据独特的最终用户使用模式，提高电源使用效率。
美光业界第一的1β节点可将更高的内存容量塞入更小的空间内，从而降低每位元资料的成本。DRAM的进展，向来主要取决于如何在每平方毫米的半导体面积内，提供更多和更快的内存，这就需要缩小电路，将数十亿个内存单元收纳在大约指甲大小的芯片中。几十年来，随着每个制程节点的演进，半导体产业每一两年缩小芯片尺寸缩小一次；然而，随着芯片变得越来越小，在芯片上界定的电路图便需要挑战物理定律的极限。
尽管业界已开始改用新工具极紫外光设备来克服这些技术挑战，美光仍利用先进纳米制造能力与微影技术来跳过尚在新兴阶段的极紫外光技术。这需要应用美光独门的先进多重曝光技术和沉浸式微影能力，以最高精确度做出这些微小的电路特征。节点进一步缩小带来容量提升，可让智能手机和物联网设备等体积较小的设备涵纳更多内存。
为了让1β和1α制程发挥竞争优势，美光过去几年也积极推动卓越制造、提升工程技术能力、强化开创性研发。加速创新首先让美光比竞争对手提前一年实现前所未有的1α节点量产，完成公司史上首次在DRAM和NAND两个领域同时居于市场领导地位。 多年来，美光投资数十亿美元，将芯片厂转变为先进、高度自动化、由人工智能驱动的永续运营设施。其中也包括美光对日本广岛厂的投资，广岛厂将以1β制程量产DRAM。