外媒报道，韩国三星虽然在3纳米GAA技术的芯片生产上领先了台积电，但这并不代表着该公司的进展顺利。因为消息来源指出，三星的3纳米GAA技术良率非常糟糕，仅为20%而已。而为了解决此难堪的状况，三星目前正计划通过与一家美国公司的合作，以进一步提高生产良率。
报道指出，三星的芯片制造目前正在试图重新发展其中。先前该公司的4纳米节点技术良率太低，迫使重要客户高通跳槽到台积电，导致订单的流失。现在，本应该较5纳米节点致成有巨大改良进步的3纳米GAA节点制程，虽然领先台积电的两产时间，待在良率方面却也面临了同样的挫折。
而为了克服问题，传出三星已与美国的Silicon Frontline Technology合作，以提高其3纳米GAA技术的良率。至于，为什么Silicon Frontline Technology是理想的合作伙伴，原因是该公司已经借由水质和静电放电预防技术降低生产过程中的缺陷，以提高芯片的生产良率。
报道强调，静电放电是芯片生产过程中产生缺陷的主要原因，这可以解释三星3纳米GAA技术的良率过低的状况。到目前为止，虽然三星号称已经通过集成其合作伙伴使用的技术获得了积极成果，但实际成果还需要在未来几个月内持续观察，届时客户不是将排队体验这种尖端制造技术，就是进一步转单到台积电去。
目前，三星的3纳米GAA技术制程除了之前有报道，表示三星将向加密货币设备商供应首批芯片之外，至今还未能向智能手机芯片设计商提供服务。除此之外，三星还有可能重新恢复与高通的合作伙伴关系，因为高通预计在未来的芯片生产其中，同时使用三星与台积电的多方供应模式。然而，如果三星继续让其3纳米GAA技术制程的低良率情况发生，则许多客户可能会不愿向该公司下订单。
(首图来源：三星官网)