联电董事会今天通过资本预算执行案，预计投资金额达新台币324.17亿元，将主要构建南科芯片12A厂P6厂区及新加坡P3厂。
联电指出，南科芯片12A厂P6厂区与新加坡P3厂共计将投资100亿美元，超过新台币3千亿元，将于3~4年内完成投资。
新加坡P3厂位于白沙芯片园（Pasir Ris Wafer Park），预计2025年量产，以22纳米及28纳米制程生产。因缺工缺料及机台交期长影响，量产进程将较规划的2024年底延迟超过一季。
联电表示，南科芯片12A厂P6厂区与新加坡P3厂投资金额将以自有资金支应，并不会影响未来股利发布，将维持稳定配发率。
（首图来源：联华电子）