韩国三星电子21日宣布，已成功开发出其首款采用12纳米级制程技术所打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。
三星表示，这一技术突破是借由使用一种新的高介电 （high-k） 材料，以增加电池电容，并进一步改进关键电路特性的专利设计技术而完成的。
根据三星所供的资料显示，集成先进多层极紫外 （EUV） 微影曝光技术之后，新款的DRAM拥有三星最高的裸片密度 （Die density），并且可以使芯片生产率提高20%。另外，在采用DDR5最新标准的情况下，三星12纳米级DRAM将可提供高达7.2千兆每秒 （Gbps） 的传输速度。另外，在能效方面，与上一代三星DRAM产品相较，12纳米级DRAM的功耗降低约23%。
AMD高级副总裁、企业研究员暨客户、计算和图形首席技术官Joe Macri指出，创新通常需要与产业伙伴密切合作，以推动技术的发展。因此，我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在Zen平台上经过优化和验证的DDR5内存产品。
三星指出，随着2023年新款DRAM量产，计划将这一采用先进12纳米制成技术的DRAM产品扩展到更广泛的市场领域。
（首图来源：SAMSUNG)