美禁令使中国长江存储扩产幻灭,本土设备商北方华创遭砍单70%

《南华早报》报道,中国NAND Flash闪存大厂长江存储近几个月大幅削减半导体生产设备订单,中国半导体设备大厂北方华创订单就遭大砍70%,反映出长江存储扩产计划大受阻。

2022年10月,美国政府公布中国半导体出口管制新规定,禁止美国设备厂商向中国芯片制造商出口16/14纳米以下非平面晶体管结构逻辑芯片、18纳米制程或更小制程的DRAM内存、128层堆栈以上NAND Flash闪存的半导体设备,扼杀长江存储发展128层堆栈以上NAND Flash企图。2022年12月又将长江存储列入限制出口的实体清单,更使长江存储128层堆栈以下NAND Flash的美系半导体设备采购也受限制。

应用材料、柯林研发及科磊三大美国半导体设备厂商有强大技术优势及市场地位,长江存储无法取得美系半导体设备,扩产计划及产线维护都大受影响。之前消息为长江存储近期宣布裁员,比例约15%。

1月底市场消息显示,设备供应链中断,长江存储可能延后武汉第二家芯片厂工程。虽然长江存储并不缺微影曝光设备,因美国实施限制前就买了数台设备。挑战在NAND Flash堆栈层数越多,制造过程就需更多蚀刻设备,科林研发等设备是关键,无法取得设备就无法量产。

从全球蚀刻设备市场占有率看,科林研发、东京电子和应用材料合计拿下90%以上市场,科林研发占52%,东京电子与应用材料分别为20%和19%。从长江存储采购分析,科林研发占一半以上采购量。中国中微拿下50台CCP等离子体蚀刻机,屹唐半导体也出货13台ICP等离子体蚀刻机。北方华创有24台ICP等离子体蚀刻机出货,北方华创出货2台清洗设备。

虽近年长江存储增加采购中国产蚀刻设备,但只用于非关键层蚀刻流程。关键层蚀刻还是得要科林研发设备。2022年10月美国出口限制新规定,导致采购128层堆栈以上NAND Flash美系设备受阻,长江存储当时也只增加东京电子蚀刻设备采购,而非买中国产蚀刻设备。

美国已与两大半导体设备强国日本和荷兰完成中国半导体出口管制协议。虽然日本和荷兰尚未提供细节,但会与美国2022年10月中国半导体出口管制新规定一样,代表长江存储等中国半导体制造商若想从日本、荷兰取得设备组建非美系产线,绕过美国制裁也会受阻。加上中国产设备无法取代外国产品,长江存储扩产计划也无法继续,现有产线运行之后也可能受影响,使长江存储暂停扩产计划,冲击中国产设备采购大幅减少。

(首图来源:长江存储)