特斯拉宣布下一代电动汽车平台缩减75%碳化硅（SiC）用量，引发业界关注，会如何影响SiC产业仍待观察。有“GaN达人”称号、工研院电子与光电系统研究所组长方彦翔认为，特斯拉减少用SiC，反倒是台厂以“GaN”切入电动汽车领域的好机会。
方彦翔指出，电动汽车需要高电压材料，仍以SiC或GaN为主要选择。GaN因具备高电子迁移率特性，适合100kHZ~10MHz的低中瓦数应用，像DC/DC转换器和车载充电器（OBC）都是机会点。
这次特斯拉降低SiC用量，意味GaN有机会进入更多车用应用。方彦翔指出，短期看，GaN要打入逆变器可能很难，但OBC有发展机会。目前电池系统为400V，有线劲大、体积大、损耗高等缺点，未来2030年将全面改成800V电池系统，必须缩小线圈束径和体积、提升充电速度，组件也必须承受超过1,200V更高崩压，因此OBC产品必须朝轻量化、体积小、高性能、低成本发展，而GaN的高频操作率有机会达到目标。
材料特性部分，GaN要到1,200V~1,700V相当困难，所以短期1,200V以上都是SiC的天下，800Ｖ则是GaN的机会。方彦翔指台厂具上中下游完整GaN产业链，虽然目前GaN应用是电子领域，台厂处于落后阶段，供应链占整体不到8%，但台湾硅半导体产业占世界领先地位，加上台湾GaN的光电领域成功经验，以硅基板（Si）为基底，应用功率组件6~8英寸GaN on Si发展，仍有机会在全球供应链抢占鳌头。
台湾代工厂要抢商机，绑定IC创业公司、终端车厂相当关键
谈到台厂该如何把握机会，方彦翔认为，台湾GaN代工厂可绑定IC创业公司厂商及终端车厂，三方合作更有机会成功。由于GaN特性与传统硅组件不太一样，容易受外部信号影响造成组件失效，如“突波”信号，河道前突然打开水坝的栅门，大量水灌注时会产生很大波浪影响到信号，走开一段距离才会稳定，所以需要IC设计控制解决问题。
车厂部分，由于电动汽车产业复杂程度高，每个环节都必须验证，方彦翔强调“GaN的验证瓶颈”是台湾目前最须克服的一环，“GaN要走到终端真的很困难，因为太多样件需验证，所以不管如何一定要有车厂这个角色。”因此台湾代工厂是否有车厂对接，车厂是欧美还是日本，都是必须布局的点。值得注意的是，除了国际大牌车厂，鸿海MIH联盟也有机会成为台厂突围关键。
工研院角色是提供IC创业公司、台湾代工厂和终端车厂三方对接平台，提供与业界兼容的design rule（设计规则）给IC设计，使厂商研发阶段可快速验证材料、设备与IC设计的可行性，缩减前置研发时间，待量大时即直接下单台湾代工厂。
方彦翔指出，工研院积极打造与台湾GaN代工厂桥接的试量产平台，也掌握磊晶技术能量，除了GaN用在Si，更发展GaN on X-substrate（如SiC及QST等），同时积极朝创建快速组件验证平台，产生结果能快速与台湾代工厂对接，工研院做研发，转量产时候也能快速接轨，更能帮助产业发展，并带领台湾产业进入国际终端企业。
（首图来源：科技新报）