韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系Sang Hyeon Kim教授团队，22日发布重新研究Micro LED（μLED）效率下降现象后，可通过外延结构工程从根本解决问题。
Micro LED制造需通过刻蚀制程，将芯片上生长的外延结构切割成圆柱体或长方体形状，刻蚀制程伴随基于等离子体的制造制程。然而等离子体会在Micro LED像素制造过程在像素侧壁形成缺陷。
像素尺寸变小和分辨率提高，像素表面积与体积比增加，加工过程的器件侧壁缺陷将降低Micro LED器件效率。已有大量侧壁缺陷减轻或去除的研究，但效果有限，且必须在外延结构生长完后处理阶段执行。
Sang Hyeon Kim团队发现，Micro LED器件执行期间，基于外延结构，流向Micro LED侧壁的电流有差异。团队构建一种对侧壁缺陷不敏感的外延结构，以解决Micro LED器件小型化导致效率降低问题。
与现有外延结构相比，本次结构使Micro LED器件执行时产热减少约40%，对超高分辨率Micro LED显示器商业化有重要意义。
由不同厚度量子势垒（quantum barriers）的外延结构制成的Micro LED在电流运行时电致发光分布图。
相同光量下不同外延结构的热分布图。
按尺寸优化外延结构制造的μLED器件归一化外量子效率。
Sang Hyeon Kim教授表示，技术发展对找出Micro LED效率下降原因有重要意义，效率下降是Micro LED微型化的障碍，通过外延结构新设计可解决问题，期待这项技术可用于制造超高分辨率显示器。
研究3月17日发表在《自然》期刊。
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