韩国媒体引用市场消息，芯片代工龙头台积电仍采鳍式场效应晶体管架构 (FinFET) 的3纳米 (N3) 制程，2022年12月29日量产后产能不断提升，但量产达一季的3纳米制程良率最高仅63% 。
韩国媒体BusinessKorea报道，台积电3纳米制程良率较更早投产的4纳米 (N4) 仍有段差距，相较3纳米最高63%良率，4纳米良率约80%。但随着量产时间越长，良率会继续提升，有望达到甚至超过4纳米良率。
谈完台积电3纳米与4纳米后，韩媒还回头谈到三星。虽然没说三星3纳米良率多少，但说三星4纳米良率较之前明显提升，最少有70%，接近台积电4纳米良率80%。
全球仅两家芯片代工厂有量产3纳米制程技术，除了台积电就是三星。三星3纳米制程采GAA晶体管架构，2022年6月30日开始量产，较台积电12月27日量产时间早近半年。三星表示3纳米制程首批芯片2022年7月25日出货，客户有谁没有公布。
(首图来源：科技新报摄)