三星于周四（10/18）表示，已完成所有制程技术的开发，已开始量产导入极紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影技术的7纳米低功耗（7-nanometer Low Power Plus，7LPP）芯片。三星越过了传统的7纳米制程技术，向台积电下战帖，挑战台积电目前于7纳米制程市场的龙头地位。
根据三星的说明，EUV使用13.5纳米波长的光线来曝光硅芯片，而传统的氟化氩（ArF ）气体激光浸没技术则只能实现193纳米波长，此外，EUV能够只使用单一光罩模块来创建硅芯片层，通过ArF最多需要4个光罩模块，相较之下，7LPP将能减少20%的光罩模块，节省客户的时间与成本。
因此，与10纳米的FinFET制程相较，导入EUV技术的7LPP因有较少的层数及较大的产量，大幅降低了制程的复杂度，且最多可提升40%的面积效率，因而可增加20%的性能或减少50%的功耗。
负责芯片代工业务的三星副总裁Charlie Bae表示，他们相信7LPP将不只是移动及高性能计算的最佳选择，也将替各种尖端应用带来契机，从5G、人工智能、大规模数据中心、IoT、汽车到网络等。三星也计划在2020年替客户量产基于EUV的各种定制化芯片。
三星在制程上的跳跃是为了赶上全球芯片代工龙头台积电，台积电为全球最早进入7纳米芯片市场的半导体企业，在今年4月率先量产7纳米芯片，也是苹果7纳米A12 Bionic芯片的独家供应商。 根据AnandTech的报导 ，台积电已于特定非关键层采用EUV微影技术，相关芯片被归类为第二代的7纳米制程芯片（7+纳米），并在今年10月上旬试产（Tapeout）。
此外，台积电也已准备在明年4月进入采用完整EUV微影技术之5纳米制程的风险生产（ Risk Production）阶段，预计于2020年的第二季量产。
在全球第二大芯片代工厂格罗方德（GlobalFoundries）于8月宣布将无限期搁置7纳米FinFET制程之后，让7纳米芯片市场成为台积电、三星与英特尔三方竞逐的局面，且目前看来英特尔也已被台积电及三星远抛在后。