随着智能型设备的存储空间越来越大，相关的芯片技术也要积极提速才能平衡需要。 Samsung 今天宣布正式量产新的512GB 和128GB eUFS 3.0 内存芯片，前者叠合了8 层第5 代V-NAND，配合高性能的控制器，将会有着比前代eUFS 2.1 快2 倍的读取速度，达2,100 MB/s；写入速度也有1.58 倍的加乘，至410MB/s。
Samsung表示，如此的速度的内存芯片，以往只有用于超薄笔记本电脑才会有的。但今天的 512GB eUFS 3.0 芯片却已经有超过 SATA SSD 的读取速度，随机读写能力也高达 63,000 IOPS 和 68,000 IOPS。他们更透露会在2019 年的下半年开始量产1TB 和256GB 版本的eUFS 3.0 芯片，预期会在旗舰级手机市场上占一重要席位，想当然耳，Samsung Galaxy Fold 已经确认是其中一台用上eUFS 3.0 的手机啦。