台湾科技部在14 日发布由清华大学团队研发出的最新磁阻式随机访问内存（MRAM）技术，称对半导体产业发展将有决定性的影响力。
由于摩尔定律将近，业界正努力寻求新一代的内存技术，而MRAM 就是被关注的焦点之一，这是一种非挥发性内存技术，工作原理是应用巨磁阻效应，自1990 年代就开始发展。其速度不下于 SRAM，且如闪存一般能在断电后保留数据，能耗更低于 DRAM，是未来通用内存的候选技术之一。
顾名思义，所谓的磁阻式随机访问内存，也就是靠电阻来记录数字信号的技术。简单来讲，其结构大致分为三层，上层是自由反转的铁磁层，可以快速处理数据，底层则是固定的铁磁层，可用作存储数据，两层中则以氧化层隔开。当此二铁磁层的磁化方向相同，为低电阻态，代表信号 1，若磁化方向相反，则是高电阻态，代表信号 0。
早期的设计，不仅需要大电流来产生磁场才能使用，过低的功耗也引起不了业界的兴趣，且在器件在缩小的过程中，感应场的重叠容易引发读写错误。且原本通过在底层黏上反铁磁层，以交换偏压（Exchange bias）钉锁住磁矩，然而这样旧操控方法却有很大的局限，必须先将器件升温，然后于外加磁场下降温，才能改变钉锁方向，这在实际应用上不太现实，如今新技术克服了这些瓶颈。
清华大学工学院长赖志煌与物理系教授林秀豪，带领博士生林柏宏、杨博元等组成跨领域团队，研发出的MRAM 新一代核心技术，是在底层铁磁-反铁磁纳米膜层加上一层纳米级白金，并通过电子自旋流来操控磁性反转，此方法是全球首创，甚至一度引发对实验结果的质疑，认为是器件升温所导致，但通过先进的实验技术反复测量后，终于说服审稿委员的质疑。
此研究结果已于今年2 月登上世界知名期刊《Nature Materials》，此技术不再需要加热降温，也不会对其他电子零件造成热伤害，并可与现有电子组件的制程无缝接轨，是半导体产业的重大突破，预计今年将与STT-MRAM 技术集成，并在4 年后令新时代MRAM 原型现身，将带动MDRAM 市场发展。