手机为全球最重要的消费性电子产品，手机不光是内部零部件需求量庞大，再加上轻、薄、短、小的趋势，不断推动着半导体产业技术向前迈进。
手机芯片性能的提升、晶体管数量的增加、功耗 / 发热降低，都依赖半导体制程工艺的提高，而这几项因素也直接影响手机整体性能和使用体验。
5G时代下，使用7纳米、5纳米技术的手机将增加
因此近年来，手机厂商争相提升芯片的制程工艺。不过，在5G时代下，手机对芯片性能和功耗要求更高，使半导体向先进制程发展的步伐持续加速。
根据天风证券指出，全球智能手机在2018 Q4使用的7nm芯片比重从Q3的10.5%，提升到18.3%。
苹果A12、A13、骁龙855均采用的7nm技术。随着5G等新兴科技的发展，在2020年有机会进入5nm及以下的时代。
导入EUV技术，能提升晶体管密度与芯片运算速度
而芯片代工在导入EUV技术后，使既定工艺节点能大幅提升晶体管密度，在摩尔定律后期下，EUV重要性日益凸显。
芯片厂在芯片上能塞进的结构数量越多，芯片就越快速越强大。所以相关企业的目标就是尽力缩小结构的尺寸。在导入EUV技术后，即能制造出更小、更快速、更强大的芯片。
同时还能控制成本，在半导体制程工艺已经慢慢趋近物理极限的情况下重要性不断提升。
目前全球芯片代工产业中，台积电拥有最先进的制程，是全球7nm芯片代工市场的最大赢家。
台积电在2018年最早实现7nm制程的突破并量产，拥有最成熟的7nm工艺，并取得华为、苹果、AMD、高通等7nm芯片订单。
此外，台积电在5nm、3nm制程上也早有布局。其5nm制程预计在2020年实现量产，2023年有望量产3nm制程，其在芯片代工龙头地位短期难以撼动。
SiP、SoC封装技术集成处理器和基带，节省主板空间并降低功耗
另一方面，在电子零部件小型化、微型化的趋势下，以SiP为代表的先进封装出现发展机遇。SoC与SiP封装都是在芯片层面上实现小型化和微型化系统的产物。
而在之前，已公布的5G手机采用的都是插件5G基带。插件基带使得芯片体积相对较大、及发热与功耗高等问题，导致手机续航能力与4G相比缩水不少。
把基带集成至SoC中，不仅能够节省主板空间，纾缓发热问题，还可以有效地降低功耗，提升续航力。
SoC与DDR的结合，SiP封装有望超越摩尔定律
不过，摩尔定律发展到现阶段，半导体产业要继续向前走，有两种方式，一是继续依照摩尔定律发展，走这条道路的产品有CPU、内存、逻辑芯片等，这些产品占整个市场的约50%。另一个就是超越摩尔定律。
现阶段SiP封装是超越摩尔定律的重要方式。一般情况下，SoC只集成AP类的逻辑系统，而SiP则是集成AP+mobileDDR。某种程度上说SIP=SoC+DDR。随着将来集成度越来越高，eMMC也很有可能会集成至SiP中。
随着摩尔定律接近尾声，业内已可预见SoC生产成本越来越高，易遭遇技术障碍，使得SoC的发展遇到瓶颈，因此能集成多类芯片的SiP封装，其发展越来越被业界重视。
（首图来源：Pixabay CC Licensed）