三星电子（Samsung Electronics）已成功开发出业界首款3纳米GAA制程技术，副会长李在镕（Lee Jae-yong）1月2日访问了华城（Hwaseong）芯片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。
BusinessKorea、韩国先驱报（Korea Herald）报道，三星电子新开发的3纳米GAA制程技术，有望协助公司完成“2030年半导体愿景”（即于2030年在系统半导体、内存芯片领域成为业界领导者）。GAA是当前FinFET技术的升级版，可让芯片商进一步缩小微芯片体积。
李在镕2日访问了华城芯片厂，听取3纳米制程技术的研发演示文稿，并与设备解决方案（device solutions，DS）业务群的主管讨论次世代半导体策略方针。
跟5纳米相较，采用3纳米GAA制程技术的芯片尺寸小了35%、电力消耗量降低50%，但运算性能却能拉高30%。三星计划在2022年量产3纳米芯片。
三星去年发布了133万亿韩元（相当于1,118.5亿美元）的投资计划，目标是在2030年成为全球顶尖的系统单芯片（SoC）制造商。