在7纳米及5纳米节点，台积电丰收满满，竞争对手三星追赶始终无力挽回颓势，三星决心将赌注押宝3纳米节点，日前宣布将采用GAA环绕栅极晶体管技术。台积电也非省油的灯，日前的说明会，台积电宣布2020年资本支出约150亿至160亿美元，80%将投入先进产能扩张，包括7纳米、5纳米及3纳米等制程。虽然台积电没有公布3纳米制程细节，总裁魏哲家却宣布，台积电4月29日在北美技术论坛将公布3纳米制程状况，台积电与三星的3纳米制程战争一触即发。
台积电3纳米制程最终选择什么技术，对半导体业来说非常重要。目前能深入3纳米制程节点的芯片生产厂商只有台积电和三星。三星之前抢先宣布3纳米制程技术发展，将会放弃FinFET鳍式场效应晶体管技术，转向GAA环绕栅极晶体管技术。
外电报道，目前三星3纳米制程分3GAE、3GAP两个时代，后发的3GA要比3GAE性能更强。首发3GAE是第一代GAA技术，根据官方说法，因是全新GAA晶体管结构，三星使用纳米设备制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥─信道场效应管），可显著增加晶体管性能，以取代FinFET晶体管技术。此外，MBCFET技术还能兼容现有FinFET制程技术及设备，加速制程开发及生产。
2019年于日本举行的三星芯片代工论坛（SFF），三星还公布未来3纳米制程的具体性能提升标准，也就是与7纳米制程相比，3纳米制程可将核心面积减少45%，功耗降低50%，整体性能提升35%。
三星日前宣布，计划在2030年前投资1,160亿美元打造非内存的半导体王国，但在7纳米及5纳米等制程节点都落后台积电，所以三星押宝3纳米节点，希望超越台积电成为全球第一大芯片代工厂，三星对3GAE制程技术寄给厚望，预计最快2021年量产。
面对三星大举投资的正面挑战，台积电也在3纳米节点大举投资，2019年宣布斥资195亿美元兴建3纳米厂，预计2020年正式开工。但关于3纳米制程技术的细节一直没有透露，未来台积电是否会像三星选择GAA技术，或继续改进FinFET技术生产，两种技术路线将影响未来许多高端芯片设计与发展，所以台积电4月29日的发布格外引人关注。
（首图来源：科技新报）