金属绝缘层金属（Metal-Insulator-Metal，MIM）电容组件，不仅应用在过滤射频电路（RF IC）的噪声，或在数字电路（Digital electronics）当作负载组件，在一般集成电路（IC）与电路板（PCB）制程也广泛应用。宜特科技实验室就发现，一旦MIM电容组件发生漏电、变形等异常，将使得IC无法正常运行，甚至造成结构脱层现象。
然而MIM发生的异常位置，却可能被金属层（Metal）盖住，而不易发现。
一般传统找异常点有两个方式，一是将MIM样品研磨去层（Delayer）至Via（金属与金属之间的接口），再使用扫描式电子显微镜（SEM）观察，但此方式，仅能初步查看Via是否有问题，若失效点不在Via附近的话就不易找到异常点。
第二种方式是，通过EBAC（Electron Beam Absorbed Current）技术，找出异常点，然而若此MIM样品的下电极板没有接地，则效果将会大大打折。
那要如何正确找到MIM异常点呢？宜特实验室提供简单五步骤，让MIM失效位置无所遁形。以下为宜特实验室经典案例，MIM发生漏电情形，宜特就是运用这五步骤，快速协助您找到产品异常点。
第一步骤：IV电特性测量
借由IV电特性测量（IV Curve）MIM电容组件是否有漏电异常。
第二步骤: 芯片去层（Delayer）
当确认有漏电现象后，若直接用OBIRCH等电性测量定位工具，由于MIM Capacitor架构中，Top-MIM上方，往往还会有金属层覆盖，无法清楚定位异常点。因此，需要使用芯片去层技术（Delayer），移除MIM上层的覆盖金属。
第三步骤：镀层（Coating Pads）
经过Delayer，并通过FIB电路修补技术，进行镀层（Coating Pads）后，即可上电，输入信号，找到异常点位置（下图）。
红点即为异常点位置。
第四步骤：切片（Dual Beam FIB）
针对异常亮点位置，进一步利用双束聚焦离子束（Dual Beam FIB）工具，用电子束方式对样品断面（剖面）进行观察（下图）。
由DB-FIB结果观察到Via3下方的MIM结构异常。
第五步骤：显像（TEM）
最后通过穿透式电子显微镜（TEM），更清楚确认，MIM结构中的绝缘层异常，导致上下电极板间有漏电路径产生进而找到漏电真因（下图）。
MIM结构的绝缘层异常，导致上下电极板间有漏电路径产生。