意法半导体（STMicroelectronics，ST）宣布，已签署收购法国氮化镓（GaN）创新企业Exagan多数股权的并购协议；Exagan的磊晶制程、产品研发和应用经验将拓展并推动意法半导体之车用、工业和消费性功率GaN的研发和业务。Exagan将继续执行现有产品规划，意法半导体将为其部署产品提供支持。
意法半导体总裁暨首席执行官Jean-Marc Chery表示，意法半导体的碳化硅发展布局具备强大动能，现在公司正扩大投入另一种前景看好的复合材料氮化镓，以促进车用、工业和消费性市场客户采用GaN功率产品；收购Exagan的多数股权可强化公司在全球功率半导体市场的领先地位，同时也是内部对GaN长远规划、生态系统统和业务向前迈出的另一步。这也是继目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目，还有近期宣布与台积电合作项目的另个成果。
据了解，氮化镓属于宽带隙（WBG）材料家族，其中包括碳化硅；GaN基板材料是高频功率电子元产业的一大进步，性能和功率密度优于硅基晶体管，GaN基板组件节能省电、缩减系统大小。GaN组件适合各种应用，例如服务器、电信和工业用功率因素校正和DC / DC转换器；电动汽车车载充电器和车规DC-DC转换器，以及电源适配器等个人电子应用。