大家应该还记忆犹新的是，之预处理器龙头英特尔(intel) 的首席财务官George Davis在公开场合表示，除了现在10纳米产能正在加速之外，英特尔还将恢复制程技术领先的关键部分寄望在未来更先进制程的发展上，包括英特尔将在2021年推出7纳米制程技术，并且将在7纳米制程的基础上发展出5纳米制程。对于英特尔5纳米制程的发展，现在有外媒表示，在这个节点上英特尔将会放弃FinFET晶体管，转向GAA晶体管。
根据外媒《Profesionalreview》的报道表示，随着制程技术的升级，芯片的晶体管制作也面临着瓶颈。英特尔最早在22纳米的节点上首先使用了FinFET晶体管技术，当时叫做3D晶体管，就是将原本平面的晶体管，变成立体的FinFET鳍式场效晶体管，于是提高了芯片的性能，也降低了功耗。之后，FinFET晶体管也成为全球主要芯片厂制程发展的选择，一直用到现在的7纳米及5纳米制程节点上。
作为之前先进制程的领导者，英特尔之前已经提到了目前5纳米制程正在研发中。只是，对于制程的发展并没有公布详情。因此，根据《Profesionalreview》的报道，英特尔在5纳米节点上将会放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管。
报道强调，目前在GAA晶体管上也有多种技术发展路线。如之前三星提到自家的GAA晶体管相较于第一代的7纳米制程来说，能够提升芯片35%的性能，并且降低50%的功耗以及45%的芯片面积。而在三星这后起之秀上，GAA晶体管就已经有这样的性能，而英特尔在技术实力上会比三星要来的强大情况下，未来英特尔在GAA晶体管的发展上，期提升性能应该会更加明显。
报道进一步强调，如果能在5纳米制程节点上进一步采用GAA晶体管，则日前英特尔首席财务官所强调的“英特尔将在5纳米制程节点上重新夺回领导地位”的说法就比较可能容易实现了。至于，另一个市场上的强进竞争对手台积电，目前在2020年首季准备量产5纳米制程上，依旧采用FinFET晶体管。但是，到了下一时代的3纳米节点，目前台积电还尚未公布预计的制程方式。根据台积电官方的说法，其3纳米相关细节将会在2020年的4月29日的的北美技术论坛上公布。
另外，英特尔5纳米制程的问世时间目前也还没明确的时间表。不过，英特尔之前提到7纳米之后期程技术发展周期将会回归以往的2年升级的节奏上，因此就是表示最快2023年就能见到英特尔的5纳米制程技术问世。
(首图来源:Flickr/JiahuiHCC BY 2.0)