就在日前，中存厂长江存储正式发布128层TLC/QLC NAND Flash闪存之后，目前市场上的内存龙头──韩国三星也正紧锣密鼓的研发下一代3D NAND Flash闪存，预计其对叠层数可高达160层，期望借以拉开与其他竞争对手的领先差距。
根据韩国媒体《ETnews》的报道，三星目前正在开发具有160层堆栈的第7代V-NAND闪存，而且再相关方面的技术也取得重大进展。目前，三星的第7代V-NAND闪存将采用“双堆栈”的技术来达到更多堆栈层的目的，这样可以使得容量更大，使用范围也更加广泛。就现阶段来说，如果完成160层堆栈的V-NAND闪存开发，将会是业界对高堆栈层数的产品，超越目前最大的128层堆栈产品。
报道指出，目前尚未有相关内存企业完成160层堆栈的3D NAND Flash闪存开发与生产。不过，包括韩国的三星和SK Hynix等内存厂都已经在2019年宣布了这个发展规划。也由于中国厂商长江存储在日前宣布开发成功128层的TLC/QLC NAND Flash闪存，并宣布2020年将大量生产计划，这也使得三星决定加入脚步开发160层堆栈的3D NAND Flash闪存，借以成为拉大与竞争对手技术差距的垫脚石。
报道进一步指出，在内存产业中，这称为3D NAND Flash的闪存，三星则是称为V- NAND闪存。其重要的技术就在于是可以生产出多少堆栈层的产品，这是3D NAND Flash闪存厂商的核心竞争力，而目前三星是被公认为业界技术最先进的厂商。另外，三星在2019年也以166.7亿美元（约20万亿韩元）的营收，在全球3D NAND Flash闪存市场上成为龙头，市场占有率达到35.9%。
另外，特别值得一提的是，尽管新冠肺炎疫情的爆发，三星仍继续进行内存生产与研发的投资而没有中断或减少，其中包括了位于中国西安的NAND Flash闪存工厂的扩产。而追随三星的脚步，韩国的另一家内存大厂SK Hynix也在2020年恢复了内存产品的投资。由于内存为韩国的重要产业，因此预计未来的投资还将持续扩大。
(首图来源:三星)