台积电致股东报告书:于5G处最佳位置,将加快2纳米研发

台积电21日发布2019年度年报表示,今年5纳米(N5)制程技术已广泛采用EUV技术,将于今年上半年开始量产,3纳米(N3)制程技术将是继N5后另一全节点提升的制程,将持续研发。另外,台积电今年也将加快N2研发速度。

台积电董事长刘德音与总裁魏哲家在致股东报告书表示,5G网络对通信的显著进展,期待5G相关及高性能计算应用的发展,将会在未来几年带动对台积电先进技术的强劲需求,且凭借着最先进的技术与产能及最广泛的客户群,台积电正处于最佳的位置引领业界掌握市场的增长。

台积电指出,今年国际间贸易紧张局势造成整体经济的不确定性持续存在,台积电将保持灵活的应变能力,进一步加速技术的差异化,且会公平且公正的对待所有客户,坚守技术领先、卓越制造及客户信任的三位一体竞争优势。

台积电指出,2019年N7家族,包括N7及N7+ 制程技术的营收占全年芯片销售金额的27%;N6制程技术刚于今年第一季进入试产阶段,并成功进一步扩展N7家族的未来性;而N5制程技术已广泛采用EUV技术,将于今年上半年开始量产。业界最先进的解决方案,N5制程技术已进一步扩大公司的客户产品组合,同时扩张潜在市场;N3制程技术将是继N5后另一全节点提升的制程,并将于推出时提供业界最佳的功耗/性能/面积(PPA)的制程技术。

此外,台积电也指出,公司独有的芯片级封装解决方案,包括集成型扇出(InFO)和CoWoS持续保持强劲增长;目前正在开发三维芯片堆栈解决方案,例如系统集成芯片,以提供业界系统级解决方案。