内存大厂原先预计在2020年以大量生产因应5G时代来临，可惜年初爆发疫情中断。现在各大厂的动态是什么？他们会怎么规划？
历经一年多的景气循环，内存大厂库存去化有成，加上供给端添加产能有限，受益5G时代来临，市场原预期今年供需将趋于平衡，甚至有望供不应求，但产业还未迎来好年，年初就先爆发肺炎疫情；即便如此，内存厂未因疫情影响，而中断长期运营策略，今年新制程技术转换仍照计划进行中。
华邦电“以不变应万变”，保持弹性面对冲击
华邦电（2344-TW）2018年第4季起，开始量产自主研发的25纳米DRAM制程技术，不过，其量产时间点刚好碰上DRAM市况反转，对新制程转换来说，较为辛苦，去年第4季时营收占比仅约6%，且受到DRAM价格下滑冲击，加上25纳米开发成本高两大因素影响，第4季单季运营因此转亏。
华邦电认为，今年新制程开发与良率表现，将渐入佳境，新制程转换效益本季已显现，第3季起会更好。且虽然今年以来爆发肺炎疫情，新制程转换也在逐步步入轨道阶段，但华邦电运营计划并未受疫情影响而改变。
华邦电去年宣布将高雄12英寸新厂装机进程延至2022年，目前时间点不变，届时20纳米新制程技术，将在高雄厂投片。除DRAM外，45纳米NOR Flash制程技术明年也将正式量产。
疫情扩散带动内存需求，南亚科投入10纳米制程
南亚科（2408-TW）目前主力为授权自美光的20纳米制程技术，今年初并宣布成功开发出10纳米级DRAM新型记忆胞技术，再度走回自主研发之路，第一代10纳米级前导产品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5，涵盖消费型、低功率与标准型产品，预计今年下半年陆续进入试产。
为构建10纳米级制程试产线，南亚科董事会今年5月初也通过，将再添加新台币65.6亿元资本支出预算，今年度资本支出预算也因此提升至不超过157.6亿元，较去年扩张1.86倍。第二代10纳米级制程技术已进入研发阶段，预计2022年前试产，也会开发第三代10纳米级制程技术。
旺宏开发能量强，预计下半年出货顺畅
旺宏（2337-TW）去年成功量产19纳米SLC NAND Flash，今年下半年出货有望放量，客户涵盖各类应用，包括工控、医疗、安控与车载等；今年下半年也将推出3D NAND产品，48层3D NAND预计第3季送样客户，第4季量产，明年才有望放量，并预计2021年量产96层3D NAND、2022年量产192层3D NAND。