世界先进携手交大,AI提升芯片制造效率与良率

世界先进今天宣布,委托国立交通大学进行AI芯片表面瑕疵侦测研究计划,开发一个人工智能发展平台,协助智能制造与智能管理,并有效提升芯片制造效率与良率。

世界先进指出,研究计划将由交大智能绿色能源产业研究所的华大、交大人工智能实验室进行,由美国华盛顿大学教授黄正能、交大教授彭文孝及交大副教授马清文共同主持。

这次与交大合作,希望研究结果能反馈精进公司制程,世界先进表示,同时希望借由半导体制造实务与学术的结合,加速人工智能(AI)学术的应用与发展。

世界先进指出,研究计划是利用新型AI开发平台的人工智能算法,对芯片制造完成后的瑕疵图片进行判读瑕疵形态,并做分类。

借由世界先进提供制程图片资料,搭配人员进行图片标签,训练人工智能演算模型的图像判读能力,增加瑕疵复检的效率。

世界先进表示,当通用型侦测模型运用到不同产品线时,将能有效减少50%到70%的人工标签负担,更快速地复制这人工智能模型至其他产品线,提升强化世界先进的芯片制造能力与效率。

(首图来源:shutterstock)