如何提升内存的存储容量，是内存产业永不变的目标，如今，这项进展又有了新突破。根据外国媒体Tech Explorist报道，韩国UNIST能源与化学工程学院教授Jun Hee Lee与研究团队发现了一种新的物理现象，有望将内存芯片的存储容量提升1,000倍；目前研究团队正致力将此物理现象用于铁电随机内存（FRAM）。
FRAM通过所谓的极化现象（Polarization）存储消息，优点在于速度更快、功耗更低，甚至电源关闭后仍能保留存储的资料；而目前对FRAM的技术研究，多集中在减小铁电域（Ferroelectric Domains）大小同时还能保持存储容量；因铁电域形成（发生自发极化的微小区域）至少需要成千上万个原子。
而报道指出，Lee与其带领的UNIST团队，发现通过添加一滴电荷到称为铁电氧化Ha（HfO2）的半导体材料，可控制4个单独的原子存储1位数据；经适当应用后，内存存储容量可达每平方厘米500Tbit，是目前闪存的1,000倍。
Lee表示，此技术将有助于加速内存缩小，且通过这种技术，有望将内存存储容量扩大1,000倍，同时也有助于研发低成本的FRAM或铁电场效晶体管（Ferroelectric Field-effect Transistor，FeFET）。
（首图来源：UNIST）