全球DRAM芯片制程技术持续进化。据韩媒报道，韩国半导体巨头三星电子（Samsung Electronics）开出业界第一枪，顺利使用极紫外光（EUV）微影技术来量产第三代10纳米级（1z纳米）LPDDR5 DRAM芯片，有望将DRAM制程向个位数纳米制程推进。
《BusinessKorea》8月31日报道，三星30日宣布，位于韩国平泽市的第二条半导体生产线，率先量产全球最先进的第三代10纳米级LPDDR5 DRAM芯片，拥有业界最高水准的容量和速度。
今年2月，三星已使用第二代10纳米级（1y纳米）制程技术量产16GB LPDDR5 DRAM。短短6个月后，该公司便进一步强化高端行动DRAM的产品阵容，并成功导入新一代芯片生产技术。
SK海力士（SK Hynix）为全球第二大DRAM厂，市场占有率仅次于三星。报道指出，SK海力士正在研发以EUV技术生产第4代10纳米级制程（1a纳米）的DRAM，目标是在2021年实现量产，进度大约较三星落后半年至一年。
根据全球市场研究机构集邦科技（TrendForce）的数据，全球DRAM市场由三星和SK海力士稳居冠亚军，第二季市场占有率分别达到43.5%、30.1%。
三星最新第三代10纳米级LPDDR5 DRAM芯片，传输速度最高可达6,400MB/s，比目前市面上旗舰级手机所用的12GB LPDDR5行动DRAM（5,500MB/s）快16%。据三星表示，搭载16GB内存的智慧手机，每秒可发送51.2GB的资料，约相当于10部Full HD电影。