Samsung早前宣布全球首款为流动设备而设的16GB LPDDR5 DRAM正式投产，这是Samsung首次动用到基于极紫外光刻技术啮第三代10nm 1z制程，好处是让芯片的厚度，较上一代12GB的版本大幅削减30%。
全新的16GB LPDDR5 DRAM只需8片芯片，而同样结构以往只能制作12GB DRAM，除了较上一代更薄，新一代的DRAM也有更高的容量。表现方面，由12GB LPDDR5 DRAM的5,500MB/s提升至16GB LPDDR5 DRAM的6,400MB/s。Samsung表示新内存芯片会在明年于Galaxy旗舰手机采用，也会供应给其他流动设备生产商。
来源：gsmarena