消息指出，台积电2纳米制程研发，现已离开寻找路径阶段，进入交付研发，且法人预期2023年下半即可风险性试产。
台积电去年就成立2纳米项目研发团队，在考量成本、设备兼容、技术成熟及性能表现等多项条件下来寻找可行路径，如今台积电虽然仍没有公布细节，但已表示将会是全新架构。而据供应链消息透露，台积电2纳米即将改采全新的GAA基础，使用多桥信道场效晶体管（MBCFET）架构。
这是由于3纳米已达FinFET技术的瓶颈，会出现制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，就算有EUV技术加持，但2纳米势必要转换跑道。虽然三星提早在3纳米就打算采用GAA，意图在此技术上弯道超车台积电，但台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆栈关键技术，及EUV运用经验，将能使良率提升更顺利。
所以不少法人预期，若2纳米在2023年即能投产，三星就算在弯道恐怕也超不了车。就目前台积电所公布的制程推进现况来看，采用EUV的5纳米良率已快速追上7纳米，显见台积电在良率提升上的底蕴，甚至有业界人士预期风险试产良率即可到9成。三星虽提前量产3纳米GAA，但在性能上未必能压过台积电，而GAA良率上的落差可能也不会如预期般明显，且据传2纳米背后还有苹果的研发能量支持。
不过未来半导体制程将会更加竞争，不仅是三星，英特尔的SuperFin技术也不可小觑，虽然纳米节点进程落后，但实际性能并不真的多差。早有舆论认为，台积电及三星的制程竞逐，很多只是数字游戏，而英特尔其实相对踏实，就实际晶体管密度等指标来看，新的英特尔10纳米强化版已接近台积电5纳米，是非常大的单一节点升级。
只要英特尔也敢忍痛杀价，SuperFin仍然很有高端市场的竞争力，就如同三星8纳米已打出成绩一般，台积电虽然还占有优势，但仍不能轻敌。目前台积电已表示，未来2纳米研发生产将落脚新竹宝山，将规划建设4个超大型芯片厂，将成为下一轮半导体大战主力。
（首图来源：科技新报）