Silicon Motion（慧荣科技）先前的固态硬盘控制器主要集中于PCIe Gen3时代，到了现在才推出支持PCIe Gen4接口与NVMe 1.4通信协议的产品，并一口气推出3款不同定位的产品以满足高、中、低端的使用需求。
Silicon Motion宣布推出SM2264、SM2267、SM2267XT等3款高性能、低功耗的PCIe 4.0 NVMe 1.4控制芯片器，分别定位为高端旗舰、主流、入门与小尺寸应用等不同市场，并集成错误码修正(ECC) 技术、资料路径和EMI保护，提供完整、稳定的资料保护，满足存储设备所需的高效稳定需求。
其中旗舰款SM2264为针对高性能和车用固态硬盘应用，采用TSMC 12nm FinFET制程，搭载4核心Arm Cortex-R8处理器，具有4组16Gb/s PCIe资料总线，并支持8组NAND信道（每组信道运行速度最高可达1,600 MT/s），连续读写性能最高可达7,400、6,800MB/s，随机读写I/O性能最高达1,000K IOPS，传输性能较自家前代产品提升1倍以上。
此外SM2264也搭载Silicon Motion最新第7代NANDXtend技术，集成最新专利高性能4KB LDPC错误码修正引擎和RAID功能，为最新一代的3D TLC和QLC NAND提供极佳的错误校正能力，此外也提供SR-IOV功能，让它可以直接同时为八台虚拟机提供直接PCIe连接能力，相当适合用于车用计算机等使用场景。
Silicon Motion一口器推出SM2264、SM2267、SM2267XT等3款支持PCIe 4.0 NVMe 1.4的固态硬盘控制芯片器。
SM2264为旗舰级产品，提供前代产品1倍以上的性能。
SM2264的连续读写性能最高可达7,400、6,800MB/s，随机读写速度最高达1,000K IOPS。
从CrystalDiskMark的测试成绩来看，SM2264的表现确实不错。
SM2267与SM2267XT是针对主流和入门店场设计的产品，皆支持Gen4x4接口与4组NAND信道（每组信道运行速度最高可达1,200 MT/s），连续读写性能为3,900、3,500 MB/s，随机读写I/O性能为500K IOPS。
2者均搭载NANDXtend ECC技术，并支持最新3D TLC和QLC NAND颗粒，其中SM2267具有DRAM缓冲设计，SM2267XT则为DRAM-less设计，并可通过HMB（Host Memory Buffer）技术分享计算机的主内存作为读写缓冲，以便进一步压低固态硬盘价格。
SM2267为主流市场定位的中端产品。
其连续读写性能为３,900、3,500 MB/s，随机读写I/O性能为500K IOPS。
SM2267XT为DRAM-less设计的入门级产品。。
SM2267XT的连续读写性能同为３,900、3,500 MB/s，随机读写I/O性能在激活HMB时可达500K IOPS，若无HMB则为200K IOPS。
目前SM2264目前进入客户送样阶段，而SM2267与SM2267XT已进入量产阶段，相信在不久之后就能在市场增至到搭载这些控制器的固态硬盘产品。